江苏新顺微电子申请一种提高高反压三极管芯片抗电子辐照能力的工艺方法专利，采用双层钝化工艺制造高质量的高反压三极管芯片

金融界 2024 年 8 月 20 日新闻，天眼查常识产权信息显示，江苏新顺微电子株式会社申请一项名为“一种进步高反压三极管芯片抗电子辐照才能的工艺办法“，公开号 CN202410432375.9 ，申请日期为 2024 年 4 月。

专利择要显示，本创造公开了一种进步高反压三极管芯片抗电子辐照才能的工艺办法，包含如下步调：步调 S1，洗濯硅基晶圆刻蚀后的金属层外面；步调 S2，在刻蚀后的金属层外面经由过程 CVD 方式淀积一层氮化硅层作为钝化层 1；步调 S3，在氮化硅层上涂布一层聚酰亚胺光刻胶作为钝化层 2；步调 S4，经由过程曝光、显影工艺去除键合区上的聚酰亚胺光刻胶，露出待刻蚀的氮化硅层；步调 S5，采纳等离子刻蚀工艺刻蚀键合区内的氮化硅层，露出金属层；步调 S6，采纳烘箱固化工艺使外面聚酰亚胺充足亚胺化形成聚酰亚胺薄膜。本创造采纳双层钝化工艺，在 ts 满意高反压三极管要求的同时其 hFE 及 K 值的衰减量较小，从而可以或许制作出高质量的高反压三极管芯片。

本文源自：金融界

作者：谍报员